EVU光刻机太费电了！1年耗电200亿度，为什么我国造不出光刻机？

这台光刻机造芯太耗电了，一台EUV光刻机一天要干掉3万度电，相当于普通家庭15年的耗电量。

芯片龙头台机电一年耗电超过200亿度，一台光刻机耗电量整整占台湾地区电费的7.2%。那么，光刻机为何要消耗如此大的电能呢？

原因就在光这个字儿上，其实现在的光刻机用的都是极紫外光，这个光可不是一般的光，它的物理特性和一般的常见的紫外光差异很大，这种光线很容易吸收，因为空气透光性差，因此，整体环境一定要真空的才行。

那不知你见过这样的照片没有？光刻机制造芯片时，其内部的大量极紫外光会不断被反射出去，再如此往复运转，实际上是往复反射过程，导致光刻机耗电量很大。

由于在造芯片过程中，光线要不断校正光路才能最后达到晶元的具体位置，而且这种每次反射必须经过一个反射镜，一束光线每次反射损失30%，最后一束光线经十几次反射到目的晶元后，最后只有2%了。

因此98%全部损耗掉了，那么相应的耗电量肯定会上去，毕竟损耗太大，只有多用电才能够达到。

而且更加糟糕的是这些流失的光线不仅会流失，在流失过程中也会有很多热量散去，从而也需要很多装置进行冷却，于是这些光线它就会再次流失掉能量，从而电量耗电量也是非常大。

一天3万度电，30000×365=10950000，一台光刻机一年1095万度电，200亿度电，台积电有多少台光刻机？

一般半导体厂房普遍4层，只有三楼有光刻机，剩下三层的设备都是为了3楼服务，一层大几万平。这只是生产厂房，还有附属的动力厂房为之服务。几百亿的建设只有能满足几台光刻机的生产。

不是造不出来，而是跟不上人家升级的速度，你搞75纳米的出来，可人家已经搞十几纳米的了，这时候你75纳米的造出来就是低端淘汰货了。

现在都在瓶颈上了，5纳米不解决突破，电阻漏电问题，再小下去也没用，国内28纳米自主研发的，已经在建立生产线了，已经足够国内需求了，8纳米的也是手机用的多，如何不禁止售卖，电脑CPU，它也不敢！

理论和实际操作是两码事。原材料还是被封锁中，另外就算给你原材料各种调节磨合数据都是需要很多次的实验所得。

光刻机有激光设备，但并不是依靠激光制造芯片的。以目前主流duv和euv光刻机为例，duv的光源是由电子束轰击惰性气体氖产生深紫外光，其波长为193纳米。

而euv是激光轰击锡滴微粒产生极紫外光，其波长是13.5纳米。所以说，光刻机并不是激光，但会用到激光。

电脑刚开始的时候也是耗电量惊人，运算速度按今天来看慢得像乌龟，可现在呢，情况完全不同，为什么会这样，那就是科技的力量，目前光刻机看起来高不可攀，相信不用多久回看当初就会是一揽众山小的感觉！

光刻机生产芯片最耗能的地方在于它的精度，精度调整需要巨量的计算。光刻机里的内部芯片性能要比电脑芯片高出几个数量级。

毕竟高精度的机器是永远无法生产精度比它还要高的产品的，这是公理。

有磁流体机器人，未来寄望于激光能纳米机器人，比细菌还小，也不用大机器设备运作，只要把激光能纳米机器人的机械臂投入晶圆中光刻！做好后再回到原点！

这个设备可以说，是人类文明与智慧的结晶。抛开专利技术，飞机引擎很多国家都能独立制造，光刻机哪怕给你图纸和技术也不是一个国家可以造出来的！

这个光刻机实际上是西方各国科技的结晶，不是光由阿斯麦公司制造的，他用的都是各个国家的配件组装起来的。

比如，德国蔡司的镜头，美国的光源设备日本的光学技术，瑞典的轴承，法国的阀件等等，如果光靠中国自己生产制造同样的光刻机基本不可能。

至少，50年内不可能，我们能做的，只有去不断地学习，不断地发展才有可能去赶上西方列强的技术！

最先进光刻机也就是影响制程而已，国内有可以制造20纳米的整套设备，但是芯片设计人才过于缺乏，同样22纳米地i7 4790，如果能做到这个性能和稳定水平，那也是非常的厉害了，使用也绝对没有任何问题，但是做不到啊，设备可以相对容易地补充，但是设计必须一步一个脚印，而且别人也同时在往前，虽然越来越近，但是超越基本我们这辈子没机会​！

有一句很讽刺的话，放在这里很合适：“我家几代人辛苦努力换来的，凭啥你寒窗苦读十几年就要超越？”

技术积累不是一朝一夕就能有的，很多产业比如发动机，操作系统，ai啥的比不上国外，说白了人家都系统性的研发了几十上百年，这也是为啥国家会在5g，电动汽车，物联网等等这些高新产业砸钱，谁先起步谁先有技术上的积累优势​！​

中国能造出二十几纳米的光刻机，距离这个差两代。

国家自21世纪初就在大量投入这个领域，而且作为拥有14亿人口、工业门类最全的国家。

面对西方科技的结晶，是从全方位去追赶的，包括光源、阀件，没有五十年这么悲观，按计划来说，目前的制程在十年内达到是很有希望的！​